ттл базовий логічний елемент

Найбльш вдвдуван:

Ми суворо ставимося до конфиденцальност.Ваш e-mail адрес не буде переданий третм особам

Ще статт: (0) (0) (0) (0) (0) (0) (0)

Сподобалася стаття? Натисни "+1"! :

Лтература: ¶. А. Нечав, Масова Радо Бблотека (МРБ), Випуск 1172, 1992 рк.

Передатна характеристика елемента ТТЛ температурно залежна: при пдвищенн температури навколишнього середовища до +125 ` С вона зсуваться влво приблизно на 0,3 В, а при зменшенн до -60 ` С – вправо на ту ж величину. Протяжнсть лнйно длянки по виходу становить 1,5 … 1,8 В.

Якщо продовжувати збльшувати вхдна напруга, то транзистори $Т2  $Т4 перейдуть в режим насичення (рис. 2, длянка г-д), що призведе до бльш плавного зменшенню вихдного напруги. Якщо ж вхдна напруга виявиться вище 2 … 2,5 В, то транзистор $ТЗ закриться  значення вихдно напруги не перевищить напруги насичення транзистора $Т4 (0,4 В),

Передатна характеристика такого логчного елемента зображена на рис. 2. Якщо вхдна напруга знаходиться в межах 0 … 0,5 В, то емтер-ний р-п перехд транзистора VT1 вдкритий, але напруга на його баз недостатньо для вдкривання колекторного переходу цього транзистора  Емт-терни переходв транзисторв VT2, VT4. Тому транзистори VT2  VT4 закрит, a $ТЗ – вдкритий напругою, що надходять на його базу через резистор R2. Дод VD3 вдкритий  на виход елемента напруга становить приблизно 3 … 4 В (рис. 2, точка а). Збльшення вхдно напруги призводить до поступового вдкриванню транзистора $Т2, зменшенню напруги на баз транзистора $ТЗ  його поступового плавного закривання (рис. 2, длянка б-в). Подальше збльшення вхдно напруги призводить до ще бльшого вдкриванню транзистора $Т2, збльшення напруги на резистор R3  вдкриванню емтерного переходу транзистора VT4. Це призводить до того, що емтерний перехд транзистора VT4 шунту резистор R3, транзистор VT2 почина рзко вдкриватися, а напруга на виход елемента зменшуватися. У цей момент (рис. 2, длянка в-г) вс транзистори вдкрит  знаходяться в активному режим – це длянка характеристики елемента, який можна використовувати для обробки аналогових сигналв. Цей режим характеризуться високим крутизною передавально характеристики  максимально споживано вд джерела живлення потужнстю, так як через вдкрит транзистори $ТЗ  $Т4 протка наскрзний струм, що обмежуться резистором R4.

Схема базового елемента цифрових мкросхем ТТЛ – елемента 2И-НЕ – приведена на рис. 1. Вн складаться з вхдного многоемттерного транзистора VT1, парафазного пдсилювального каскаду на транзистор VT2  двотактного вихдного каскаду на транзисторах V73, VT4. Останн два каскади на транзисторах за свою побудовою нагадують фазонверсного  вихдний каскади бестрансформаторним пдсилювача звуково частоти (34).

Рис. 2. Передатна характеристика елемента ТТЛ 2И-НЕ

Рис. 1. Схема базового логчного елемента ТТЛ 2И-НЕ

Опубликовано 10 Окт 2012 в рубриц « »

Логчн елементи ТТЛ цифрових мкросхем

Логчн елементи ТТЛ цифрових мкросхем | Свт електронних схем